2SC4429

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC4429 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4429 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 800V(Min) ·Fast Switching speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for switching regulator Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 8 A ICP Collector Current-Pulse 25 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 4 A 60 W PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ TJ Junction Temperature 3 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEX(SUS) V(BR)CBO V(BR)EBO VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Output Capacitance Current-Gain—Bandwidth Product CONDITIONS IC=5mA; RBE=∞ IC= 4A; L=1mH, IB1=-IB2=0.8A Clamped IC=1mA; IE=0 IE=1mA; IC=0 IC= 4A; IB= 0.8A B 2SC4429 MIN 800 800 1100 7 TYP. MAX UNIT V V V V 2.0 1.5 10 10 10 8 155 15 40 V V μA μA IC= 4A; IB= 0.8A B VCB= 800V; IE= 0 VEB= 5V; IC= 0 IC=0.6A ; VCE= 5V IC= 3A ; VCE= 5V IE= 0 ; VCB= 10V; ftest=1.0MHz IC= 0.6A ; VCE= 10V pF MHz Switching times ton tstg tf Turn-on Time Storage Time Fall Time IC= 6A , IB1=1.2A; IB2= -2.4A RL= 66.7Ω; VCC=400V 0.5 3.0 0.3 μs μs μs hFE-1 Classifications K 10-20 L 15-30 M 20-40 isc Website：www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4429 isc Website：www.iscsemi.cn

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2SC4429

1. 物料型号： - 型号：2SC4429 - 制造商：INCHANGE Semiconductor

2. 器件简介： - 2SC4429是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。 - 特点包括高击穿电压、快速开关速度和广泛的安全工作区域。

3. 引脚分配： - 23PIN 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER - 封装类型：TO-3PM

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VcBO（Collector-Base Voltage）：1100V - VCEO（Collector-Emitter Voltage）：800V - VEBO（Emitter-Base Voltage）：7V - Ic（Collector Current-Continuous）：8A - IcP（Collector Current-Pulse）：25A - IB（Base Current-Continuous）：4A - Pc（Collector Power Dissipation Tc=25°C）：60W - TJ（Junction Temperature）：150℃ - Tstg（Storage Temperature Range）：-55~150℃

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于开关调节器应用。 - 电气特性（Tc=25℃）： - V(BR)CEO（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：800V - VcEX(SUS)（Collector-Emitter Sustaining Voltage）：800V - V(BR)CBO（Collector-Base Breakdown Voltage）：1100V - V(BR)EBO（Emitter-Base Breakdown Voltage）：7V - VcE(sat)（Collector-Emitter Saturation Voltage）：2.0V - VBE(sat)（Base-Emitter Saturation Voltage）：1.5V - ICBO（Collector Cutoff Current）：10uA - IEBO（Emitter Cutoff Current）：10uA - hFE-1（DC Current Gain）：10-40 - hFE-2（DC Current Gain）：8 - COB（Output Capacitance）：155pF - fr（Current-Gain-Bandwidth Product）：15MHz

6. 应用信息： - 设计用于开关调节器应用。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-3PM - 尺寸参数（单位：mm）： - A：19.90-20.10 - B：15.90-16.10 - C：5.50-5.70 - D：0.90-1.10 - F：3.30-3.50 - G：2.90-3.10 - H：5.90-6.10 - J：0.595-0.605 - K：22.30-22.50 - L：1.90-2.10 - N：10.80-11.00 - Q：4.90-5.10 - R：3.75-3.95 - S：3.20-3.40 - U：9.90-10.10 - Y：4.70-4.90 - Z：1.90-2.10

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