1. 物料型号：2SC4744，这是INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 高击穿电压：VCBO至少为1500V。
- 高开关速度。
- 内置阻尼二极管。
- 设计用于字符显示水平偏转输出级应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: 基极（BASE）
- PIN 2: 集电极（COLLECTOR）
- PIN 3: 发射极（EMITTER）
4. 参数特性：
- 集电极-发射极电压（VCES）：1500V
- 发射极-基极电压（VEBO）：6V
- 集电极电流峰值（Ic(peak)）：7A
- 集电极电流浪涌（Ic(surge)）：16A
- C-E二极管正向电流（ID）：7A
- 集电极功耗（Pc）：50W
- 结温（TJ）：150°C
- 存储温度范围（Tstg）：-55°C至150°C
5. 功能详解：
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：在IE=400mA且IC=0时为6V。
- 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在IC=5A且IB=1.25A时为2.0V。
- 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：在IC=5A且IB=1.25A时为1.5V。
- 集电极截止电流（ICES）：在VCE=1500V且RBE=0时为500μA。
- 直流电流增益（hFE）：在IC=1A且VCE=5V时为25。
- C-E二极管正向电压（VECF）：在IF=6A时为2.0V。
- 下降时间（tf）：在ICP=5A，IB1=1A，IB2=-2A时为0.4μs。
6. 应用信息：设计用于字符显示水平偏转输出级应用。
7. 封装信息：TO-3PML封装，具体尺寸如下：
- A: 19.90mm至20.10mm
- B: 15.90mm至16.10mm
- C: 5.50mm至5.70mm
- D: 0.90mm至1.10mm
- F: 3.30mm至3.50mm
- G: 2.90mm至3.10mm
- H: 5.90mm至6.10mm
- J: 0.595mm至0.605mm
- K: 22.30mm至22.50mm
- L: 1.90mm至2.10mm
- N: 10.80mm至11.00mm
- Q: 4.90mm至5.10mm
- R: 3.75mm至3.95mm
- S: 3.20mm至3.40mm
- U: 9.90mm至10.10mm
- Y: 4.70mm至4.90mm
- Z: 1.90mm至2.10mm
