2SC4758

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC4758 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4758 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for high resolution display. ·High speed switching power supply output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 600 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current- Continuous 8 A ICP Collector Current-Pulse 16 A IB B Base Current- Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature 4 A PC 50 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC4758 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 5mA ; IB= 0 600 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 1.5A B 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 1.5A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 1500V ; IE= 0 1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V ; IC= 0 10 μA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 5V 8 hFE-2 DC Current Gain IC= 6A ; VCE= 5V 4 8 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.1A ; VCE= 10V 1 3 MHz COB Output Capacitance IE=0 ; VCB=10V;ftest=1.0MHz 175 pF Switching times, Resistive load tstg Storage Time IC= 6A , IB1= 1.2A ; IB2= -2.4A RL=32Ω 2.5 μs tf Fall Time 0.2 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4758 isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4758 isc Website：www.iscsemi.cn 4

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2SC4758

物料型号： - 型号为2SC4758，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。

器件简介： - 该器件具有高击穿电压（VCBO=1500V最小值），高开关速度，以及低饱和电压。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装为TO-3P(H)IS。

参数特性： - 绝对最大额定值包括1500V的集电极-基极电压（VCBO），600V的集电极-发射极电压（VCEO），5V的发射极-基极电压（VEBO），连续8A的集电极电流（Ic），脉冲16A的集电极电流（IcP），连续4mA的基极电流（IB），50W的集电极功耗（Pc），150°C的结温（TJ），以及-55~150°C的存储温度范围（Tstg）。

功能详解： - 该器件适用于高分辨率显示器的水平偏转输出和高速开关电源输出应用。

应用信息： - 应用包括高分辨率显示器的水平偏转输出和高速开关电源输出应用。

封装信息： - 封装类型为TO-3P(H)IS，具体尺寸信息如下： - A: 24.30mm到24.70mm - B: 15.20mm到15.80mm - C: 5.20mm到5.80mm - D: 0.65mm到0.85mm - F: 3.30mm到3.90mm - G: 3.90mm到4.10mm - H: 4.30mm到4.70mm - J: 0.80mm到1.00mm - K: 18.30mm到18.70mm - L: 1.90mm到2.10mm - N: 10.70mm到11.10mm - Q: 4.40mm到4.60mm - R: 3.30mm到3.70mm - S: 3.20mm到3.40mm - U: 9.50mm到9.70mm - Y: 1.90mm到2.10mm - Z: 1.40mm到1.60mm

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