2SC5239

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC5239 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5239 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage,high speed switching APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 900 550 7 3 6 1.5 50 150 -55~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT Cob PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=1A ;IB=0.2A IC=1A ;IB=0.2A VCB=800V ;IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IE=-0.25A ; VCE=12V f=1MHz ; VCB=10V 10 MIN 550 2SC5239 TYP. MAX UNIT V 0.5 1.2 100 100 30 6 35 V V μA μA MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=1A; IB1=0.15A ;IB2=-0.45A VCC=250V; RL=250Ω 0.7 4.0 0.5 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC5239 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5239 4

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2SC5239

1. 物料型号：2SC5239，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 该器件是高电压、高速开关的硅NPN功率晶体管。 - 封装为TO-220C。 - 适用于开关稳压器和通用应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）： - VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，900V。 - VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，550V。 - VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，7V。 - Ic：集电极电流，3A。 - ICM：集电极峰值电流，6A。 - IB：基极电流，1.5A。 - Pc：集电极耗散功率，在25°C时，50W。 - T：结温，150°C。 - Tstg：存储温度，-55至150°C。

5. 功能详解： - 特性表（在25°C结温下，除非另有说明）： - V(BR)CEO：集电极-发射极击穿电压，Ic=10mA; IB=0，550V。 - VcEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=1A; IB=0.2A，0.5V。 - VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=1A; IB=0.2A，1.2V。 - ICBO：集电极截止电流，VcB=800V; IE=0，100μA。 - IEBO：发射极截止电流，VEB=7V; Ic=0，100μA。 - hFE：直流电流增益，Ic=1A; VcE=4V，范围10至30。 - fr：过渡频率，Ic=-0.25A; VcE=12V，6MHz。 - Cob：集电极输出电容，f=1MHz; VcB=10V，35pF。 - 开关时间： - ton：开通时间，0.7s。 - ts：存储时间，4.0s。 - t：下降时间，0.5s。

6. 应用信息：适用于开关稳压器和通用应用。

7. 封装信息：提供的图表显示了TO-220C的简化外形图和符号，以及引脚排列。未标注的公差为0.10mm。

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