2SC5480

2SC5480

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC5480 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC5480 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5480 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·Built-in Damper Diode APPLICATIONS ·Designed for horizontal deflection output stage applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 1500 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC(peak) Collector Current-Peak 14 A IC(surge) Collector Current-Surge Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature 28 A PC 50 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC5480 TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 500mA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 2.5A 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 2.5A 1.5 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 1500V; RBE= 0 500 μA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 5 25 hFE-2 DC Current Gain IC= 10A; VCE= 5V 4 7 tf Fall Time ICP= 7A, IB1= 2.4A; fH= 31.5kHz 0.4 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2
2SC5480
1. 物料型号: - 型号为2SC5480,由INCHANGE Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 该器件是一个硅NPN功率晶体管,具有高击穿电压、高开关速度和内置阻尼二极管。 - 适用于水平偏转输出级应用。

3. 引脚分配: - PIN 1: 基极(BASE) - PIN 2: 集电极(COLLECTOR) - PIN 3: 发射极(EMITTER)

4. 参数特性: - 集电极-发射极电压(VCES):1500V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流峰值(lc(peak)):14A - 集电极电流浪涌(Ic(surge)):28A - 集电极功率耗散@Tc=25°C(Pc):50W - 结温(TJ):150℃ - 存储温度范围(Tstg):-55~150℃

5. 功能详解应用信息: - 设计用于水平偏转输出级应用。 - 电气特性在25°C下,除非另有说明。

6. 封装信息: - 封装类型为TO-3PML。 - 提供了详细的封装尺寸参数,包括最小和最大尺寸。
2SC5480 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SC5480”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货