物料型号：
- 型号：2SD1025
- 制造商：Inchange Semiconductor
器件简介：
- 2SD1025是一款硅NPN功率晶体管，具有高直流电流增益的达林顿配置，并采用TO-220封装。
引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 引脚3：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25℃）：
- VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，200V
- VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，200V
- VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，7V
- Ic：集电极电流，8A
- IcM：集电极峰值电流，12A
- IB：基极电流，0.5A
- IBM：基极峰值电流，1.0A
- PT：总功率耗散，Tc=25°C，50W
- T：结温，150°C
- Tstg：存储温度，-55~150°C
功能详解：
- 热特性：
- Rej-c：结到外壳的热阻，2.5°C/W
- 电气特性（Tj=25℃，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)：集电极-发射极维持电压，Ic=0.1A; IB=0，200V
- VcEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=5A; IB=10mA，1.5V
- VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=5A; IB=10mA，2.0V
- ICBO：集电极截止电流，VcB=200V; IE=0，0.1mA
- ICEO：集电极截止电流，VcE=200V; IB=0，0.1mA
- IEBO：发射极截止电流，VEB=7V; Ic=0，5.0mA
- hFE：直流电流增益，Ic=5A; VcE=3V，1500至30000
- fr：过渡频率，Ic=0.8A; VcE=10V，20MHz
- 开关时间：
- ton：开通时间，Ic=5A; IB1=-18mA; RL=5Ω; VBB2=4V，2.0μs
- ts：存储时间，8.0μs
- t1：下降时间，5.0μs
应用信息：
- 该型号适用于需要高功率和高电流增益的应用场合。
封装信息：
- 封装类型：TO-220
- 封装尺寸图见文档中的图2，未标注的公差为±0.10mm。
