2SD1115K

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1115K - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1115K DESCRIPTION ·With TO-220 package ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For high voltage switching and ignitor applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 400 300 7 3 6 40 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCBO VEBO VCEsat VBEsat ICEO hFE PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=2A ; PW=50μs f=50Hz, L=10mH IC=0.1A ,IE=0 IE=50mA ;IC=0 IC=2A; IB=20mA IC=2A; IB=20mA VCE=300V; RBE=∞ IC=2A ; VCE=2V 500 MIN 300 400 7 2SD1115K TYP. MAX UNIT V V V 1.5 2.0 0.1 V V mA Switching times ton toff Turn-on time IC=2A;IB1=- IB2=20mA Turn-off time 22 μs 1.0 μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1115K Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2SD1115K

1. 物料型号：2SD1115K

2. 器件简介： - 该器件为硅NPN功率晶体管，采用TO-220封装。 - 适用于达林顿应用、高电压开关和点火应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：400V，开路发射极 - 集-发电压（VCEO）：300V，开路基极 - 发-基电压（VEBO）：7V - 集电极电流（Ic）：3A - 集电极峰值电流（ICM）：6A - 总功率耗散（PT）：40W，Tc=25°C - 结温（TJ）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：在Ic=2A，PW=50s，f=50Hz，L=10mH条件下为300V。 - 饱和电压（VCEsat）：在Ic=2A，IB=20mA条件下为1.5V。 - 基-发射饱和电压（VBEsat）：在Ic=2A，IB=20mA条件下为2.0V。 - 截止电流（ICEO）：在VcE=300V，RBE条件下为0.1mA。 - 直流电流增益（hFE）：在Ic=2A，VcE=2V条件下为500。

6. 应用信息： - 适用于高电压开关和点火应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.10mm。

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