2SD1117

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1117 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1117 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 40V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 5A ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB850 APPLICATIONS ·Designed for audio amplifier, series regulators and general purpose power amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 40 40 7 10 2 50 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 2.5 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1117 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 40 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA; IE= 0 40 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 0.1mA; IC= 0 7 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A B 1.2 V VB E(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A B 2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 40V; IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 7V; IC= 0 10 μA hFE DC Current Gain IC= 2A; VCE= 5V 60 240 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SD1117

1. 物料型号：2SD1117，这是INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。

2. 器件简介： - 集电极-发射极击穿电压：最小40V。 - 低集电极-发射极饱和电压：最大1.2V，@ Ic=5A。 - 宽安全工作区。 - 与2SB850型号互补。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220C。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO：集电极-基极电压，40V。 - VCEO：集电极-发射极电压，40V。 - VEBO：发射极-基极电压，7V。 - Ic：集电极连续电流，10A。 - Ib：基极连续电流，2A。 - Pc：集电极功率耗散，Tc=25°C时为50W。 - TJ：结温，150°C。 - Tstg：存储温度范围，-55~150°C。

5. 功能详解和应用信息： - 设计用于音频放大器、串联稳压器和通用功率放大器。 - 提供了两张应用电路图。

6. 封装信息： - 封装类型为TO-220C，详细尺寸参数如下： - A: 15.70mm到15.90mm - B: 9.90mm到10.10mm - C: 4.20mm到4.40mm - D: 0.70mm到0.90mm - F: 3.40mm到3.60mm - G: 4.98mm到5.18mm - H: 2.70mm到2.90mm - J: 0.44mm到0.46mm - K: 13.20mm到13.40mm - L: 1.10mm到1.30mm - Q: 2.70mm到2.90mm - R: 2.50mm到2.70mm - S: 1.29mm到1.31mm - U: 6.45mm到6.65mm - V: 8.66mm到8.86mm

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