物料型号：
- 型号为2SD1137，由Inchange Semiconductor生产。
器件简介：
- 2SD1137是一款NPN型功率晶体管，采用TO-220C封装，是2SB860型号的补充。
引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底）
- PIN 3: Emitter（发射极）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO（集-基电压）：100V
- VCEO（集-发电压）：100V
- VEBO（发-基电压）：4V
- Ic（集电极电流）：4A
- IcP（集电极峰值电流）：5A
- Pc（集电极功耗）：1.8W（Ta=25°C时），40W（Tc=25°C时）
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-45~150°C
功能详解：
- 2SD1137在Tj=25℃的条件下，具有以下特性：
- V(BR)CEO（集-发击穿电压）：100V
- V(BR)EBO（发-基击穿电压）：4V
- VcEsat（集-发饱和电压）：1.0V（Ic=1A; IB=0.1A时）
- ICEO（集电极截止电流）：100μA（Vc=80V; RB=∞时）
- IEBO（发射极截止电流）：50μA（VEB=3.5V; Ic=0时）
- hFE-1（直流电流增益）：50~250（Ic=0.5A; VcE=4V时）
- hFE-2（直流电流增益）：25~350（Ic=50mA; VcE=4V时）
应用信息：
- 2SD1137适用于低频功率放大器、电视垂直偏转输出等应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-220C，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.10mm。
