2SD1157

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1157 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1157 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 50V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 250V(Min.) @IC= 0.5A ·Low Collector Saturation Voltage ·High Reliability APPLICATIONS ·Switching regulators ·DC-DC converter ·Solid sate relay ·General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 80 50 10 4 1 25 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 5.0 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1157 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 50 V VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 1A; IB= 0 B 50 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA; IE= 0 80 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 0.1mA; IC= 0 10 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 50mA B 0.5 V VB E(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 50mA B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 80V; IE= 0 100 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 10V; IC= 0 100 μA hFE DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 5V 250 Switching times ton Turn-on Time IC= 2A, IB1= -IB2= 0.2A; RL= 5Ω; PW= 20μs; Duty≤2% 0.5 μs tstg Storage Time 3.0 μs tf Fall Time 0.8 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SD1157

物料型号： - 型号：2SD1157

器件简介： - 2SD1157是一个硅NPN功率晶体管，具有50V的最小集电极-发射极击穿电压、最小直流电流增益FE为250（在Ic=0.5A时）、低集电极饱和电压和高可靠性。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：80V - VCEO（集电极-发射极电压）：50V - VEBO（发射极-基极电压）：10V - Ic（集电极连续电流）：4A - Ib（基极连续电流）：1A - Pc（集电极功率耗散，Tc=25°C）：25W - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-55~150°C

功能详解： - 2SD1157适用于开关稳压器、DC-DC转换器、固态继电器和通用功率放大器等应用。 - 电气特性（Tc=25°C）： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：最小50V - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：50V - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：最大0.5V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：最大1.5V - ICBO（集电极截止电流）：最大100μA - IEBO（发射极截止电流）：最大100μA - hFE（直流电流增益）：最小250

应用信息： - 2SD1157适用于开关稳压器、DC-DC转换器、固态继电器和通用功率放大器等应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数： - A: 15.70-15.90mm - B: 9.90-10.10mm - C: 4.20-4.40mm - D: 0.70-0.90mm - F: 3.40-3.60mm - G: 4.98-5.18mm - H: 2.70-2.90mm - J: 0.44-0.46mm - K: 13.20-13.40mm - L: 1.10-1.30mm - Q: 2.70-2.90mm - R: 2.50-2.70mm - S: 1.29-1.31mm - U: 6.45-6.65mm - V: 8.66-8.86mm

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