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2SD1264

2SD1264

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1264 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
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  • 价格&库存
2SD1264 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1264 2SD1264A DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SB940/940A ·High collector to emitter voltage VCEO ·Large collector power dissipation PC APPLICATIONS ·For power amplification ·For TV vertical deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Emitter DESCRIPTION · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO PARAMETER Collector-base voltage 2SD1264 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1264A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 30 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base 180 6 2 3 2 W V A A CONDITIONS Open emitter VALUE 200 150 V UNIT V Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD1264 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1264A VCBO VEBO VCEsat VBE IEBO ICBO hFE-1 hFE-2 fT Collector-base voltage Emitter-base voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Emitter cut-off current Collector cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency IC=50μA ,IE=0 IC=500μA ,IC=0 IC=0.5A, IB=50mA IC=0.4A ; VCE=10V VEB=4V; IC=0 VCB=200V; IE=0 IC=0.15A ; VCE=10V IC=0.4A ; VCE=10V IC=5mA ,IB=0 CONDITIONS 2SD1264 2SD1264A MIN 150 TYP. MAX UNIT V 180 200 6 1.0 1.0 50 50 60 50 20 MHz 240 V V V V μA μA IC=0.5A; VCE=10V,f=10MHz hFE-1 Classifications Q 60-140 P 100-240 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1264 2SD1264A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1264 2SD1264A 4
2SD1264
物料型号: - 型号为2SD1264和2SD1264A,是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

器件简介: - 这些晶体管采用TO-220Fa封装,是2SB940/940A的补充型号,具有高集电极-发射极电压($VCEO$)和大集电极功率耗散(PC)。

引脚分配: - 引脚排列如下: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值(在$Ta=25^{\circ}C$时): - $VCBO$(集电极-基极电压):200V,开路发射极。 - $VCEO$(集电极-发射极电压):2SD1264为150V,2SD1264A为180V,开路基极。 - $VEBO$(发射极-基极电压):6V,开路集电极。 - $Ic$(集电极电流):2A。 - $IcM$(集电极峰值电流):3A。 - $Pc$(集电极功率耗散):在$Ta=25^{\circ}C$时为2W,在$Tc=25^{\circ}C$时为30W。 - $TJ$(结温):150°C。 - $Tstg$(储存温度):-55至150°C。

功能详解应用信息: - 这些晶体管适用于功率放大和电视垂直偏转输出应用。

封装信息: - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.15mm。
2SD1264 价格&库存

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