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创作活动
2SD1276A

2SD1276A

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1276A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1276A 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1276 2SD1276A DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Complement to type 2SB950/950A ・High DC current gain ・High-speed switching APPLICATIONS ・For power amplification PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SD1276 VCBO Collector-base voltage 2SD1276A 2SD1276 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1276A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base 80 5 4 8 40 W V A A Open emitter 80 60 V CONDITIONS VALUE 60 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1276 2SD1276A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage 2SD1276 IC=30mA , IB=0 2SD1276A IC=3A ;IB=12mA IC=5A ;IB=20mA VCE=3V; IC=3A 2SD1276 2SD1276A 2SD1276 2SD1276A VCB=60V ;IE=0 0.2 VCB=80V; IE=0 VCE=30V; IB=0 0.5 VCE=40V; IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=3A ; VCE=0.5V IC=3A ; VCE=3V IC=0.5A; VCE=10V;f=1MHz 1000 2000 20 10000 MHz 2 mA mA mA 80 2 4 2.5 V V V CONDITIONS MIN 60 V TYP. MAX UNIT V(BR)CEO VCEsat-1 VCEsatVBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current ICBO ICEO Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency IEBO hFE-1 hFE-2 fT Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=2A ;IB1=8mA IB2=-8mA;VCC=50V 0.5 4 1 μs μs μs hFE-2 Classifications Q 2000-5000 R 4000-10000 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1276 2SD1276A PACKAGE OUTLINE Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SD1276A
1. 物料型号: - 型号分别为2SD1276和2SD1276A。

2. 器件简介: - 该器件为NPN型硅功率晶体管,采用TO-220Fa封装,是2SB950/950A型号的补充。具有高直流电流增益和高速开关特性。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VcBO(集电极-基极电压):2SD1276为60V,2SD1276A为80V - VCEO(集电极-发射极电压):2SD1276为60V,2SD1276A为80V - VEBO(发射极-基极电压):5V - Ic(集电极电流):4A(连续) - ICM(集电极峰值电流):8A - Pc(集电极功率耗散):40W(Tc=25°C),2W(Ta=25°C) - Tj(结温):150°C - Tstg(储存温度):-55°C至150°C

5. 功能详解: - 该器件适用于功率放大,具有高直流电流增益和高速开关能力,具体参数包括: - V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):2SD1276为60V,2SD1276A为80V - VcEsat(集电极-发射极饱和电压):在不同集电极电流和基极电流条件下有不同的值 - VBE(基极-发射极电压):在VcE=3V和Ic=3A条件下为2.5V - IcBO(集电极截止电流)和ICEO(集电极截止电流):在不同电压条件下有不同的值 - hFE(直流电流增益):有两个工作点的增益值,分别为hFE-1(Ic=3A;VcE=0.5V)和hFE-2(Ic=3A;VcE=3V) - fr(过渡频率):20MHz - 开关时间参数:包括ton(开通时间)、ts(存储时间)等

6. 应用信息: - 适用于功率放大。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220Fa,PDF中提供了简化的外形图和符号。
2SD1276A 价格&库存

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