1. 物料型号:
- 型号分别为2SD1276和2SD1276A。
2. 器件简介:
- 该器件为NPN型硅功率晶体管,采用TO-220Fa封装,是2SB950/950A型号的补充。具有高直流电流增益和高速开关特性。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(Base)
- 引脚2:集电极(Collector)
- 引脚3:发射极(Emitter)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- VcBO(集电极-基极电压):2SD1276为60V,2SD1276A为80V
- VCEO(集电极-发射极电压):2SD1276为60V,2SD1276A为80V
- VEBO(发射极-基极电压):5V
- Ic(集电极电流):4A(连续)
- ICM(集电极峰值电流):8A
- Pc(集电极功率耗散):40W(Tc=25°C),2W(Ta=25°C)
- Tj(结温):150°C
- Tstg(储存温度):-55°C至150°C
5. 功能详解:
- 该器件适用于功率放大,具有高直流电流增益和高速开关能力,具体参数包括:
- V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):2SD1276为60V,2SD1276A为80V
- VcEsat(集电极-发射极饱和电压):在不同集电极电流和基极电流条件下有不同的值
- VBE(基极-发射极电压):在VcE=3V和Ic=3A条件下为2.5V
- IcBO(集电极截止电流)和ICEO(集电极截止电流):在不同电压条件下有不同的值
- hFE(直流电流增益):有两个工作点的增益值,分别为hFE-1(Ic=3A;VcE=0.5V)和hFE-2(Ic=3A;VcE=3V)
- fr(过渡频率):20MHz
- 开关时间参数:包括ton(开通时间)、ts(存储时间)等
6. 应用信息:
- 适用于功率放大。
7. 封装信息:
- 封装类型为TO-220Fa,PDF中提供了简化的外形图和符号。