1. 物料型号:2SD1352
2. 器件简介:isc Silicon NPN Power Transistor,具有以下特点:
- 集电极-发射极击穿电压:最小80V
- 良好的hFE线性
- 与2SB989型号互补
3. 引脚分配:TO-220C封装,引脚1为基极(BASE),引脚2为集电极(COLLECTOR),引脚3为发射极(EMITTER)。
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):80V
- 集电极-发射极电压(VEO):80V
- 发射极-基极电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):连续4A
- 发射极电流(IE):连续-4A
- 基极电流(IB):连续0.4A
- 集电极功耗(Pc):在Tc=25°C时30W
- 结温(TJ):150°C
- 存储温度范围(Tstg):-55~150°C
5. 功能详解和应用信息:该器件为通用应用设计。
6. 封装信息:TO-220C封装,具体尺寸如下:
- A:15.70~15.90 mm
- B:9.90~10.10 mm
- C:4.20~4.40 mm
- D:0.70~0.90 mm
- F:3.40~3.60 mm
- G:4.98~5.18 mm
- H:2.70~2.90 mm
- J:0.44~0.46 mm
- K:13.20~13.40 mm
- L:1.10~1.30 mm
- Q:2.70~2.90 mm
- R:2.50~2.70 mm
- S:1.29~1.31 mm
- U:6.45~6.65 mm
- V:8.66~8.86 mm