物料型号：
- 型号：2SD1376
器件简介：
- 2SD1376是一款硅NPN功率晶体管，具有达林顿结构，封装为TO-126。
引脚分配：
- PIN 1: 发射极（Emitter）
- PIN 2: 集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- PIN 3: 基极（Base）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：120V，开发射极
- 集-射电压（VCEO）：120V，开基极
- 发-基电压（VEBO）：7V，开集电极
- 集电极电流（Ic）：1.5A
- 集电极峰值电流（ICM）：3.0A
- 集电极功耗（Pc）：20W，Tc=25°C
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
功能详解：
- 该晶体管适用于低频功率放大应用，具有达林顿结构，提供较高的电流增益（hFE）范围从2000到30000。
应用信息：
- 适用于低频功率放大应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-126
- 封装图示：文档中提供了TO-126的简化外形图和符号，具体尺寸见图2。
