2SD1380

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1380 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1380 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB1009 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 40 32 5 2 10 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=1mA ;IB=0 IC=50μA ;IE=0 IE=50μA ;IC=0 IC=2.0A; IB=0.2A VCB=20V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=3V IE=-0.5A ; VCE=5V IE=0; f=1MHz ; VCB=10V 82 100 30 MIN 32 40 5 0.5 TYP. 2SD1380 MAX UNIT V V V 0.8 1 1 390 V μA μA MHz pF hFE Classifications P 82-180 Q 120-270 R 180-390 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1380 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD1380

1. 物料型号：2SD1380，这是一个硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-126封装。 - 是2SB1009型号的补充。 - 具有低集电极饱和电压。 - 适用于低频功率放大应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）。 - 3号引脚：基极（Base）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：40V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：32V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V，开路集电极。 - 集电极电流（IC）：2A。 - 集电极功耗（PC）：10W，环境温度TC=25℃。 - 结温（Tj）：150℃。 - 存储温度（Tstg）：-55℃至150℃。

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：32V，IC=1mA，IB=0。 - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：40V，IC=50μA，IE=0。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：5V，IE=50μA，IC=0。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：0.5至0.8V，IC=2.0A，IB=0.2A。 - 集电极截止电流（ICBO）：1μA，VCB=20V，IE=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：1μA，VEB=4V，IC=0。 - 直流电流增益（hFE）：82至390，IC=0.5A，VCE=3V。 - 过渡频率（fT）：100MHz，IE=-0.5A，VCE=5V。 - 集电极输出电容（COB）：30pF，IE=0，f=1MHz，VCB=10V。

6. 应用信息：适用于低频功率放大应用。

7. 封装信息：TO-126封装，具体尺寸如图2所示。

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