2SD1408

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1408 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1408 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 3A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 80V (Min) ·Complement to Type 2SB1017 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 4 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 0.4 A PC 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCE(sat) VBE(on) ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Output Capacitance Current-Gain—Bandwidth Product CONDITIONS IC= 50mA ; IB= 0 IC= 3A; IB= 0.3A B 2SD1408 MIN 80 TYP. MAX UNIT V 1.5 1.5 30 0.1 40 15 90 8 240 V V μA mA IC= 3A; VCE= 5V VCB= 80V; IE= 0 VEB= 5V; IC= 0 IC= 0.5A; VCE= 5V IC= 3A; VCE= 5V IE= 0; VCB= 10V, ftest= 1MHz IC= 0.5A; VCE= 5V pF MHz hFE classifications R 40-80 O 70-140 Y 120-240 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SD1408

1. 物料型号：2SD1408 2. 器件简介： - 这是一个NPN型功率晶体管。 - 特点包括低集电极饱和电压（V_{CE( sat )}=1.5 V(Max) @ I_{C}=3 A）和集电极-发射极击穿电压（V_{(BR) CEO}=80 V(Min)）。 - 与2SB1017型号互补。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VCBO（Collector-Base Voltage）：80V - VCEO（Collector-Emitter Voltage）：80V - VEBO（Emitter-Base Voltage）：5V - Ic（Collector Current-Continuous）：4A - IB（Base Current-Continuous）：0.4A - Pc（Collector Power Dissipation @ Tc=25°C）：25W - TJ（Junction Temperature）：150℃ - Tstg（Storage Temperature Range）：-55~150℃

5. 功能详解： - 适用于功率放大器应用。

6. 应用信息： - 设计用于功率放大器应用。

7. 封装信息： - 采用TO-220Fa封装。 - 封装尺寸参数如下（单位：mm）： - A: 16.85-17.15 - B: 9.90-10.10 - C: 4.35-4.65 - D: 0.75-0.80 - F: 3.20-3.40 - G: 6.90-7.10 - H: 5.15-5.45 - J: 0.45-0.75 - K: 13.35-13.65 - L: 1.10-1.30 - N: 4.98-5.18 - Q: 4.85-5.15 - R: 2.95-3.25 - S: 2.70-2.90 - U: 1.75-2.05 - V: 1.30-1.50

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