2SD1440

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1440 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1440 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·Built-in Damper Diode APPLICATIONS ·Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCES Collector-Emitter Voltage 1500 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current- Continuous 3.5 A ICP Collector Current-Peak 13 A IBP Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ Ta= 25℃ 3.5 A 2.5 W PC Collector Power Dissipation @ TC= 25℃ TJ Junction Temperature 65 130 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~130 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1440 TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 500mA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A VCB= 750V; IE= 0 VCB= 1500V; IE= 0 IC= 2.5A; VCE= 10V 4 1.5 50 1.0 15 V μA mA ICBO Collector Cutoff Current hFE DC Current Gain fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 2 MHz VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 4A 2.2 V ts Storage Time IC= 2.5A, IBend= 0.8A, Lleak= 5μH 9.0 μs tf Fall Time 0.8 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SD1440

1. 物料型号：2SD1440，这是ISC品牌的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 高击穿电压：VCBO = 1500V（最小值） - 高开关速度 - 内置阻尼二极管

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：1500V - VCES（集电极-发射极电压）：1500V - VEBO（发射极-基极电压）：5V - Ic（集电极电流-连续）：3.5A - IcP（集电极电流-峰值）：13A - IBP（基极电流-峰值）：3.5A - Pc（集电极功率耗散@Ta=25°C）：2.5W - TJ（结温）：130℃ - Tstg（存储温度范围）：-55~130℃

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于水平偏转输出应用。 - 电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）： - V(BREBO)（发射极-基极击穿电压）：5V - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：5.0V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：1.5V - hFE（直流电流增益）：4至15 - fT（电流增益-带宽积）：2MHz - VECF（C-E二极管正向电压）：2.2V - ts（存储时间）：9.0s - tf（下降时间）：0.8s

6. 应用信息： - 设计用于水平偏转输出应用。

7. 封装信息： - TO-3PN封装，具体尺寸如下： - A: 19.90mm至20.10mm - B: 15.50mm至15.70mm - C: 4.70mm至4.90mm - D: 0.90mm至1.10mm - E: 1.90mm至2.10mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 2.90mm至3.10mm - H: 3.20mm至3.40mm - J: 0.595mm至0.605mm - K: 20.50mm至20.70mm - L: 1.90mm至2.10mm - N: 10.89mm至10.91mm - Q: 4.90mm至5.10mm - R: 3.35mm至3.45mm - S: 1.995mm至2.005mm - U: 5.90mm至6.10mm - Y: 9.90mm至10.10mm

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