2SD1444

2SD1444

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1444 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD1444 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Low collector saturation voltage ・High speed switching ・High collector current ・Complement to type 2SB953/953A APPLICATIONS ・Power amplifiers ・Low voltage switching PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter 2SD1444 2SD1444A Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SD1444 VCBO Collector-base voltage 2SD1444A 2SD1444 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1444A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base 40 5 7 12 30 W V A A Open emitter 50 20 V CONDITIONS VALUE 40 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD1444 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SD1444A VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2SD1444 ICBO Collector cut-off current 2SD1444A IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance VCB=50V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ; VCE=2V IC=2A ; VCE=2V IC=0.5A ; VCE=10V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=5A; IB=0.16A IC=5A; IB=0.16A VCB=40V; IE=0 IC=10mA , IB=0 CONDITIONS 2SD1444 2SD1444A MIN 20 TYP. MAX UNIT V 40 0.6 1.5 V V 50 μA 50 45 60 150 110 260 μA MHz pF Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=2A; IB1=-IB2=66mA 0.3 0.3 0.1 μs μs μs hFE-2 Classifications R 60-120 Q 90-180 P 130-260 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1444 2SD1444A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SD1444
物料型号: - 型号为2SD1444和2SD1444A。

器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220Fa封装。 - 特点包括低集电极饱和电压、高速开关和高集电极电流。 - 是2SB953/953A型号的互补类型。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2SD1444为40V,2SD1444A为50V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2SD1444为20V,2SD1444A为40V。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V。 - 集电极电流(DC)(IC):7A。 - 集电极峰值电流(ICM):12A。 - 集电极功耗(PC):在25°C时为2W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

功能详解: - 这些晶体管适用于功率放大器和低压开关应用。 - 具有高速开关能力和低集电极饱和电压,适合需要快速响应和低功耗的应用。

应用信息: - 适用于功率放大器和低压开关。

封装信息: - 封装类型为TO-220Fa,具体尺寸和公差在文档中有图示说明。
2SD1444 价格&库存

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