2SD1445

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1445 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1445 2SD1445A DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Complement to type 2SB948/948A ・High speed switching ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For power amplification,power switching and low-voltage switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SD1445 VCBO Collector-base voltage 2SD1445A 2SD1445 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1445A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 40 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base 40 5 10 20 2 W V A A Open emitter 50 20 V CONDITIONS VALUE 40 V UNIT 1 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD1445 IC=10mA IB=0 2SD1445A IC=10A ;IB=0.33A IC=10A; IB=0.33A VCB=40V; IE=0 CONDITIONS 2SD1445 2SD1445A MIN 20 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage V 40 0.6 1.5 V V VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2SD1445 2SD1445A ICBO Collector cut-off current 50 VCB=50V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ; VCE=2V IC=3A ; VCE=2V IC=0.5A; VCE=10V,f=10MHz IE=0; f=1MHz ; VCB=10V 45 90 120 200 260 50 μA IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance μA MHz pF Switching times ton tstg tf Trun-on time Storage time Fall time IC=3A IB1=0.1A, IB2=-0.1A VCC=20V 0.3 0.4 0.1 μs μs μs hFE-2 Classifications Q 90-180 P 130-260 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1445 2SD1445A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1445 2SD1445A 4 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1445 2SD1445A 5

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2SD1445

1. 物料型号： - 型号为2SD1445和2SD1445A，由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220Fa封装，是2SB948/948A型号的高速开关替代品，具有低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 2SD1445的集电极-基极电压（VCBO）为40V，2SD1445A为50V。 - 2SD1445的集电极-发射极电压（VCEO）为20V，2SD1445A为40V。 - 发射极-基极电压（VEBO）为5V。 - 集电极电流（Ic）为10A，峰值集电极电流（IcM）为20A。 - 集电极功率耗散（Pc）在Ta=25°C时为2W，在Tc=25°C时为40W。 - 结温（Tj）为150°C。 - 存储温度（Tstg）范围为-55°C至150°C。

5. 功能详解和应用信息： - 这些晶体管适用于功率放大、功率开关和低电压开关应用。

6. 封装信息： - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.15mm。

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