1. 物料型号：
- 型号为2SD1454，是一款由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 2SD1454是一款高电压、高速的硅NPN功率晶体管，带有TO-3PN封装和内置阻尼二极管，适用于电视水平偏转输出应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Collector;connected to mounting base（集电极；连接到安装底座）
- PIN 3: Emitter（发射极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO：Collector-base voltage（集电极-基极电压）1500V
- VEBO：Emitter-base voltage（发射极-基极电压）6V
- lc：Collector current (DC)（集电极电流（直流））4A
- Pc：Collector power dissipation（集电极功率耗散）50W（Tc=25°C）
- Tj：Junction temperature（结温）150°C
- Tstg：Storage temperature（存储温度）-45~150°C
- 特性参数（Tj=25°C unless otherwise specified）：
- VBR(EBO)：Emitter-base breakdown voltage（发射极-基极击穿电压）6V
- VCEsat：Collector-emitter saturation voltage（集电极-发射极饱和电压）5.0V（Ic=3.5A; IB=1A）
- VBEsat：Base-emitter saturation voltage（基极-发射极饱和电压）1.5V（Ic=3.5A; IB=1A）
- ICBO：Collector cut-off current（集电极截止电流）0.5mA（VcB=1500V; IE=0）
- hFE：DC current gain（直流电流增益）6（oAV5v）
- VF：Diode forward voltage（二极管正向电压）2.2V（IF=4A）
5. 功能详解：
- 2SD1454晶体管具有高电压和高速特性，内置阻尼二极管，适用于需要高电流和高电压承受能力的应用场合，如电视的水平偏转输出。
6. 应用信息：
- 主要应用于电视水平偏转输出。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3PN，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.10mm。
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