0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2SD1455

2SD1455

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1455 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1455 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1455 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・High voltage,high speed ・Built-in damper diode APPLICATIONS ・For TV horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open collector VALUE 1500 6 5 50 150 -45~150 UNIT V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO hFE VF PARAMETER Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current DC current gain Diode forward voltage CONDITIONS IE=200mA; IC=0 IC=4.5A; IB=1.2A IC=4.5A; IB=1.2A VCB=1500V; IE=0 IC=1A ; VCE=5V IF=5A 6 MIN 6 2SD1455 TYP. MAX UNIT V 5.0 1.5 0.5 V V mA 2.2 V 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1455 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SD1455
1. 物料型号:2SD1455,是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介:2SD1455是一款具有TO-3PN封装的高电压、高速NPN功率晶体管,内置阻尼二极管。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO:集电极-基极电压,开路发射极,1500V - VEBO:发射极-基极电压,开路集电极,6V - lc:集电极电流(DC),5A - Pc:集电极功率耗散,Tc=25°C,50W - Tj:结温,150°C - Tstg:存储温度,-45~150°C

5. 功能详解: - 特性参数(Tj=25°C,除非另有说明): - VBR(EBO):发射极-基极击穿电压,le=200mA;Ic=0,6V - VCEsat:集电极-发射极饱和电压,Ic=4.5A; IB=1.2A,5.0V - VBEsat:基极-发射极饱和电压,lc=4.5A; lB=1.2A,1.5V - ICBO:集电极截止电流,VcB=1500V;lE=0,0.5mA - hFE:直流电流增益,Ic=1A;VcE=5V,6 - VF:二极管正向电压,IF=5A,2.2V

6. 应用信息:适用于电视水平偏转输出应用。

7. 封装信息:TO-3PN封装,具体尺寸见图2(未标明的公差:±0.10mm)。
2SD1455 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SD1455”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货