2SD1638

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1638 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD1638 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1638 DESCRIPTION ・With TO-126 package ・DARLINGTON APPLICATIONS ・For low frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 100 5 2 10 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1638 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=25mA; IB=0 100 V VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1.0A ;IB=1mA IC=1.0A ;IB=1mA 1.5 V Base-emitter saturation voltage 2.0 V ICEO Collector cut-off current VCE=100V; IB=0 0.5 mA μA ICBO Collector cut-off current VCB=100V; IE=0 10 IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 3 mA hFE DC current gain IC=1A ; VCE=2V 1000 10000 COB Collector output capacitance f=0.1MHz ; VCB=10V 25 pF 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1638 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD1638

物料型号： - 型号：2SD1638

器件简介： - 2SD1638是一款硅NPN功率晶体管，适用于低频和功率放大应用，具有达林顿结构和TO-126封装。

引脚分配： - 引脚1：发射极（Emitter） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：基极（Base）

参数特性： - 集-基电压（VCBO）：100V，开路发射极 - 集-射电压（VCEO）：100V，开路基极 - 发-基电压（VEBO）：5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：2A（直流） - 总功耗（PD）：10W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

功能详解： - 该晶体管在Tj=25℃的条件下，具有以下特性： - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：100V，Ic=25mA; IB=0 - 集-射饱和电压（VcEsat）：1.5V，Ic=1.0A; IB=1mA - 发-基饱和电压（VBEsat）：2.0V，Ic=1.0A; IB=1mA - 集电极截止电流（ICEO）：0.5mA，VcE=100V; IB=0 - 集电极截止电流（IcBO）：10A - 发射极截止电流（IEBO）：3mA，VEB=5V; Ic=0 - 直流电流增益（hFE）：1000至10000，Ic=1A; VcE=2V - 集电极输出电容（CoB）：25pF，f=0.1MHz; VcB=10V

应用信息： - 适用于低频和功率放大应用。

封装信息： - 封装类型：TO-126

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