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2SD1667

2SD1667

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1667 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1667 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1667 DESCRIPTION ・With TO-220F package ・Complement to type 2SB1134 ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・Relay drivers,high-speed inverters,and other general high-current switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector MAX 60 50 6 5 9 2 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=1mA ;RBE=∞ IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=3A; IB=0.3A VCB=40V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=2V IC=3A ; VCE=2V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=1A ; VCE=5V 70 30 MIN 50 60 6 2SD1667 TYP. MAX UNIT V V V 0.4 100 100 280 V μA μA 100 30 pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=2.0A; IB1=-IB2=0.2A VCC=20V;R=10Ω 0.1 1.4 0.2 μs μs μs hFE-1 Classifications Q 70-140 R 100-200 S 140-280 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1667 Fig.2 Outline dimensions 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1667 4
2SD1667
1. 物料型号: - 型号为2SD1667,由Inchange Semiconductor制造。

2. 器件简介: - 2SD1667是一款硅NPN功率晶体管,采用TO-220F封装,与2SB1134型号相补。它具有低集电极饱和电压,适用于继电器驱动器、高速逆变器以及其他一般高电流开关应用。

3. 引脚分配: - PIN 1: Base(基极) - PIN 2: Collector(集电极) - PIN 3: Emitter(发射极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO:60V - VCEO:50V - VEBO:6V - Ic:5A(集电极电流) - ICM:9A(集电极峰值电流) - Pc:2W(集电极耗散功率) - Tj:150°C(结温) - Tstg:-55~150°C(存储温度)

5. 功能详解: - 特性表(Tj=25℃): - V(BR)CEO:50V(集电极-发射极击穿电压) - V(BR)CBO:60V(集电极-基极击穿电压) - V(BREBO:6V(发射极-基极击穿电压) - VcEsat:0.4V(集电极-发射极饱和电压) - IcBO:100μA(集电极截止电流) - IEBO:100μA(发射极截止电流) - hFE-1:70-280(直流电流增益) - CoB:100pF(输出电容) - fr:30MHz(转换频率) - 开关时间: - ton:0.1s(开通时间) - ts:1.4s(存储时间) - t:0.2s(下降时间)

6. 应用信息: - 适用于继电器驱动器、高速逆变器以及其他一般高电流开关应用。

7. 封装信息: - 采用TO-220F封装。
2SD1667 价格&库存

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