2SD1737

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1737 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1737 DESCRIPTION ·High Voltage ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCES Collector-Emitter Voltage 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 700 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 3.5 A ICP Collector Current-Peak 10 A IB B Base Current- Continuous Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature 1.5 A PC 60 W ℃ Tj 150 Tstg Storage Temperature Range -55-150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1737 TYP MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 500mA; IC= 0 7 V VCE(sat) VBE(sat) hFE Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.8A B 8.0 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.8A B 1.5 V DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 5V VCB= 750V; IE= 0 6 30 μA 10 ICBO Collector Cutoff Current VCB= 1500V; IE= 0 1.0 mA fT Transition Frequency IC= 0.5A; VCE= 10V 2 MHz Switching Times, Resistive Load μs μs ts tf Storage Time IC= 3A; IB1= 0.8A; IB2= -1.6A, VCC= 200V Fall Time 1.5 0.2 isc Website：www.iscsemi.cn

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2SD1737

1. 物料型号：2SD1737

2. 器件简介： - 该器件是一个硅NPN功率晶体管。 - 特点包括高电压、高开关速度和广泛的安全操作区域。

3. 引脚分配： - PIN1: BASE（基极） - PIN2: COLLECTOR（集电极） - PIN3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：1500V - VCES（集电极-发射极电压）：1500V - VCEO（集电极-发射极电压）：700V - VEBO（发射极-基极电压）：7V - Ic（集电极连续电流）：3.5A - ICP（集电极峰值电流）：10A - IB（基极连续电流）：1.5A - Pc（集电极功率耗散@Tc=25°C）：60W - T（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-55至150°C

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于水平偏转输出应用。 - 电气特性（Tc=25°C除非另有说明）： - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：7V - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：8.0V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：1.5V - hFE（直流电流增益）：6至30 - ICBO（集电极截止电流）：10μA - fT（过渡频率）：2MHz - 开关时间（电阻性负载）： - ts（存储时间）：1.5s - tf（下降时间）：0.2s

6. 应用信息： - 设计用于水平偏转输出应用。

7. 封装信息： - TO-3PFa封装，具体尺寸如下： - A: 20.70至21.30mm - B: 14.70至15.30mm - C: 4.80至5.20mm - D: 0.90至1.10mm - F: 3.20至3.40mm - H: 3.70至4.30mm - J: 0.50至0.70mm - K: 16.40至17.00mm - L: 1.90至2.10mm - N: 10.80至11.00mm - Q: 5.60至6.00mm - R: 1.80至2.20mm - S: 3.10至3.50mm - T: 8.70至9.30mm - U: 0.55至0.75mm

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