物料型号：2SD1739
器件简介：
- 2SD1739是一个硅NPN功率晶体管，具有TO-3PFa封装。
- 特点包括广泛的安全工作区域、高电压和高速特性。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：1500V，开路发射极
- 集-发电压（VCEO）：700V，开路基极
- 发-基电压（VEBO）：7V，开路集电极
- 集电极电流（Ic）：6A
- 集电极峰值电流（IcM）：18A
- 基极电流（IB）：2.5A
- 集电极功耗（Pc）：100W，结温25°C
- 结温（TJ）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C
功能详解：
- 饱和电压（VCEsat）：8.0V，在Ic=5A和Ib=1.2A条件下
- 基-发射饱和电压（VBEsat）：1.5V，在Ic=5A和Ib=1.2A条件下
- 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：7V，在Ic=1mA条件下
- 集电极截止电流（IcBO）：10μA，在VcB=750V条件下；1mA，在VcB=1500V条件下
- 发射极截止电流（IEBO）：10μA，在VEB=5V条件下
- 直流电流增益（hFE）：6至30，在Ic=1A和VcE=5V条件下
- 转换频率（fr）：2MHz，在Ic=1A和Vce=10V条件下
应用信息：
- 适用于水平偏转输出应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3PFa，具体尺寸见图2，未标明的公差为0.30mm。
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