2SD1756

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1756 - isc Silicon NPN Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1756 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 170V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1500(Min) @IC= 5A ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for high voltage high current amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 10 A ICP Collector Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature 15 A PC 40 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)CEO V(BR)EBO VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 ICEO hFE PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current DC Current Gain CONDITIONS IC= 5A; L= 5mH IC= 25mA; RBE= ∞ IE= 50mA; IC= 0 IC= 5A; IB= 10mA B 2SD1756 MIN 170 200 7 TYP. MAX UNIT V V V 1.5 3.5 2.0 4.0 500 1500 V V V V μA IC= 10A; IB= 100mA IC= 5A; IB= 10mA B IC= 10A; IB= 100mA VCE= 180V; RBE= ∞ IC= 5A; VCE= 3V Switching times ton tstg tf Turn-on Time Storage Time Fall Time IC= 5A, IB1= -IB2= 10mA; VCC= 30V 0.9 8.0 3.5 μs μs μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SD1756

物料型号： - 型号：2SD1756

器件简介： - 该晶体管是一款硅NPN达林顿功率晶体管，具有高直流电流增益（hFE至少为1500，@Ic=5A）和低集电极饱和电压。

引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER）

参数特性： - 集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）：至少170V - 集电极-基极电压（VCBO）：200V - 发射极-基极电压（VEBO）：7V - 集电极电流-连续（Ic）：10A - 集电极电流-峰值（IcP）：15A - 集电极功耗耗散（Pc）：40W @ Tc=25°C - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

功能详解： - 该晶体管设计用于高电压高电流放大应用。

应用信息： - 适用于高电压高电流放大应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数（单位：mm）： - A：15.70-15.90 - B：9.90-10.10 - C：4.20-4.40 - D：0.70-0.90 - F：3.40-3.60 - G：4.98-5.18 - H：2.70-2.90 - J：0.44-0.46 - K：13.20-13.40 - Q：2.70-2.90 - R：2.50-2.70 - S：1.29-1.31 - U：6.45-6.65 - V：8.66-8.86

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