1. 物料型号：
- 型号为2SD1769，是由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Darlington Power Transistor。
2. 器件简介：
- 该器件具有高直流电流增益（hFE=2000最小值，@ I_C=3A）、集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)=120V最小值）和低集电极-发射极饱和电压（V_CE(sat)=1.5V最大值，@ I_C=3A）。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（BASE）
- 引脚2：集电极（COLLECTOR）
- 引脚3：发射极（EMITTER）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值包括：VCBO（集电极-基极电压）120V、VCEO（集电极-发射极电压）120V、VEBO（发射极-基极电压）6V、Ic（集电极连续电流）6A、IcM（集电极峰值电流）10A、I_B（基极电流）1A、Pc（集电极功率耗散，Tc=25°C）50W、Tj（结温）150°C、Tstg（存储温度范围）-55~150°C。
5. 功能详解和应用信息：
- 该器件设计用于螺线管驱动器、继电器和电机、系列调节器和通用应用。
6. 封装信息：
- 封装类型为TO-220C，具体尺寸参数如下：
- A: 15.70-15.90mm
- B: 9.90-10.10mm
- C: 4.20-4.40mm
- D: 0.70-0.90mm
- F: 3.40-3.60mm
- G: 4.98-5.18mm
- H: 2.70-2.90mm
- J: 0.44-0.46mm
- K: 13.20-13.40mm
- L: 1.10-1.30mm
- Q: 2.70-2.90mm
- R: 2.50-2.70mm
- S: 1.29-1.31mm
- U: 6.45-6.65mm
- V: 8.66-8.86mm
