2SD1793

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1793 - isc Silicon NPN Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1793 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 100V (Min.) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCEO VCBO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continunous Collector Current-Peak Base Current-Continunous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 100 100 7 10 15 0.5 1.0 50 150 -55~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 2.5 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product CONDITIONS IC= 5A; IB= 10mA B 2SD1793 MIN TYP. MAX 1.5 2.0 0.1 0.1 5 UNIT V V mA mA mA VCE(sat) VBE(sat) ICBO ICEO IEBO hFE fT IC= 5A; IB= 10mA B VCB= 100V; IE= 0 VCE= 100V; IB= 0 VEB= 7V; IC= 0 IC= 5A, VCE= 3V IC= 1A; VCE= 10V 1500 20 30000 MHz Switching Times; Resistive Load Turn-On Time Storage Time Fall Time IC= 5A; IB1= 5mA; IB2= 10mA; VBB2= 4V; RL= 6Ω 2 12 5 μs μs μs ton ts tf isc Website：www.iscsemi.cn

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2SD1793

1. 物料型号：2SD1793，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Darlington Power Transistor。

2. 器件简介：该器件是一款硅NPN达林顿功率晶体管，具有高开关速度，适用于音频频率功率放大器和低速高电流切换工业用途。

3. 引脚分配：PIN 1.BASE，PIN 2.COLLECTOR，PIN 3.EMITTER，封装为ITO-220。

4. 参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：100V（最小值） - 集电极-基极击穿电压（VCBO）：100V - 发射极-基极击穿电压（VEBO）：7V - 连续集电极电流（Ic）：10A - 峰值集电极电流（ICM）：15A - 连续基极电流（lB）：0.5A - 峰值基极电流（IBM）：1.0A - 集电极功率耗散（Pc）：50W（在Tc=25°C时） - 结温（T）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 饱和压降（VCE(sat)）：在IC=5A，IB=10mA时为1.5V - 基极-发射极饱和压降（VBE(sat)）：在IC=5A，IB=10mA时为2.0V - 集电极截止电流（ICBO）：在VCB=100V，IE=0时为0.1mA - 发射极截止电流（ICEO）：在VCE=100V，IB=0时为0.1mA - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=7V，IC=0时为5mA - 直流电流增益（hFE）：在IC=5A，VCE=3V时为1500至30000 - 电流增益-带宽积（fT）：在IC=1A，VCE=10V时为20MHz - 开关时间：包括ton（通态延时）2μs，ts（存储时间）12μs，tf（下降时间）5μs。

6. 应用信息：该器件设计用于音频频率功率放大器和低速高电流切换工业用途。

7. 封装信息：封装为ITO-220，具体尺寸参数如下： - A: 16.70mm至17.00mm - B: 9.80mm至10.20mm - C: 4.40mm至4.80mm - D: 0.70mm至0.90mm - F: 3.20mm至3.40mm - H: 2.50mm至2.70mm - J: 0.50mm至0.70mm - K: 13.80mm至14.20mm - L: 1.10mm至1.30mm - N: 4.98mm至5.18mm - Q: 4.00mm至4.40mm - R: 2.60mm至2.80mm

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