物料型号：
- 型号：2SD1849
- 制造商：Inchange Semiconductor
器件简介：
- 2SD1849是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3PFa封装，高电压、高速特性，内置阻尼二极管，安全工作区域广泛。
- 适用于水平偏转输出应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 集-基极电压（VCBO）：1500V
- 集-发射极电压（VCEO）：700V
- 发-基极电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（Ic）：7A
- 集电极功率耗散（Pc）：3W（Ta=25°C时）/ 120W（Tc=25°C时）
- 最大工作结温（TJ）：150℃
- 存储温度（Tstg）：-55~150℃
功能详解：
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：7V
- 饱和压降（VcEsat）：8.0V（Ic=6A; IB=1.4A）
- 基极-发射极饱和压降（VBEsat）：1.5V（Ic=6A; IB=1.4A）
- 集电极截止电流（ICBO）：10μA（VcB=750V; I=0）/ 1.0mA（VcB=1500V; Ic=0）
- 直流电流增益（hFE）：5~25（Ic=1A; VcE=5V）/ 4~（Ic=6A; VcE=10V）
- 转换频率（fr）：2MHz（Ic=1A; Vce=10V; f=0.5MHz）
- 二极管正向电压（VF）：2.0V（Ic=7A）
应用信息：
- 适用于水平偏转输出应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-3PFa
- 封装图示和尺寸详见文档中的Fig.2，未标注的公差为0.30mm。
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