2SD1897

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD1897 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载2SD1897.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SD1897 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1897 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·High power dissipation:PC=30W@TC=25℃ APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier,power driver and DC-DC converter applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 100 5 5 10 30 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT Cob PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=1mA , IB=0 IC=50μA , IE=0 IE=50μA , IC=0 IC=3A ;IB=0.3A IC=3A ;IB=0.3A VCB=100V IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IE=-0.5A ; VCE=5V;f=5MHz IE=0 ; VCB=10V ,f=1MHz 60 8 100 MIN 100 100 5 2SD1897 TYP. MAX UNIT V V V 1.0 1.5 10 10 320 V V μA μA MHz pF hFE Classifications D 60-120 E 100-200 F 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1897 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

下载 PDF

2SD1897

1. 物料型号：2SD1897，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 采用TO-220Fa封装。 - 低集电极饱和电压。 - 高功率耗散：PC=30W@TC=25℃。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极（Collector）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VCBO：100V（集电极-基极电压，开路发射极）。 - VCEO：100V（集电极-发射极电压，开路基极）。 - VEBO：5V（发射极-基极电压，开路集电极）。 - IC：5A（集电极电流）。 - ICM：10A（集电极电流-峰值）。 - PC：30W（集电极功率耗散，Ta=25℃）。 - Tj：150℃（结温）。 - Tstg：-55~150℃（存储温度）。

5. 功能详解： - 特性（Tj=25℃，除非另有说明）： - V(BR)CEO：100V（集电极-发射极击穿电压，IC=1mA，IB=0）。 - V(BR)CBO：100V（集电极-基极击穿电压，IC=50μA，IE=0）。 - V(BR)EBO：5V（发射极-基极击穿电压，IE=50μA，IC=0）。 - VCEsat：1.0V（集电极-发射极饱和电压，IC=3A；IB=0.3A）。 - VBEsat：1.5V（基极-发射极饱和电压，IC=3A；IB=0.3A）。 - ICBO：10μA（集电极截止电流，VCB=100V，IE=0）。 - IEBO：10μA（发射极截止电流，VEB=5V；IC=0）。 - hFE：60-320（直流电流增益，IC=1A；VCE=5V）。 - fT：8MHz（过渡频率，IE=-0.5A；VCE=5V；f=5MHz）。 - Cob：100pF（输出电容，IE=0；VCB=10V，f=1MHz）。

6. 应用信息： - 适用于低频功率放大器、功率驱动和DC-DC转换器应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.15mm。

2SD1897 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SD1897”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SD1897

相关技术文章