物料型号：
- 2SD1975
- 2SD1975A
器件简介：
- 这两款是硅NPN功率晶体管。
- 采用TO-3PL封装。
- 是2SB1317/1317A的补充型号。
- 拥有广泛的安全操作区域和高转换频率fT。
引脚分配：
| PIN | DESCRIPTION |
| --- | --- |
| 1 | Base（基极） |
| 2 | Collector;connected to mounting base（集电极；连接到安装底座） |
| 3 | Emitter（发射极） |
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO：集-基极电压，2SD1975为180V，2SD1975A为200V。
- VCEO：集-发射极电压，2SD1975为180V，2SD1975A为200V。
- VEBO：发射-基极电压，5V。
- lc：集电极电流，15A。
- IcM：集电极峰值电流，25A。
- Pc：集电极功率耗散，3.5W（Ta=25°C），150W（Tc=25°C）。
- Tj：结温，150°C。
- Tstg：存储温度，-55~150°C。
功能详解：
- 特性表（Tj=25℃，除非另有说明）：
- VcEsat：集-发射极饱和电压，2.5V（lc=10A;lB=1A）。
- VBE：发射-基极电压，1.8V（Ic=8A;VcE=5V）。
- IcBO：集电极截止电流，50uA（2SD1975 VcB=180V;lE=0，2SD1975A VcB=200V;IE=0）。
- IEBO：发射极截止电流，50uA（VEB=3V;Ic=0）。
- hFE-1：直流电流增益，20（lc=20mA;VcE=5V）。
- hFE-2：高增益直流电流增益，60~200（Ic=1A;VcE=5V）。
- hFE-3：直流电流增益，20（Ic=8A;VcE=5V）。
- fT：转换频率，20MHz（Ic=0.5A; VcE=5V）。
- COB：集电极输出电容，200pF（f=1MHz;VcB=10V）。
应用信息：
- 适用于高功率放大。
- 最适合用作Hi-Fi音频放大器的输出级。
封装信息：
- 提供了TO-3PL封装的外形尺寸图。
