2SD200

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD200 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD200 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High voltage ,high reliability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION · Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=90℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 1500 600 6 2.5 10 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=100mA; IB=0 B 2SD200 MIN 600 6 TYP. MAX UNIT V V IE=1mA; IC=0 IC=2A; IB=0.6A IC=2A; IB=0.6A VCB=500V;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=5V IC=2A ; VCE=5V 8.0 1.5 10 100 8 2.5 V V μA μA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD200 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD200

1. 物料型号：2SD200

2. 器件简介： - 该晶体管为硅NPN功率晶体管。 - 采用TO-3封装。 - 具有高电压、高可靠性特点。 - 有广泛的安全操作区域。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter W） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集-基极电压（VCBO）：1500V，开发射极。 - 集-发射极电压（VCEO）：600V，开基极。 - 发-基极电压（VEBO）：6V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：2.5A。 - 集电极功耗（Pc）：10W，结温Tc=90°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55~150°C。

5. 功能详解： - 维持电压VCEO(SUS)：600V，Ic=100mA；Ib=0。 - 发射极击穿电压V(BR)EBO：6V，Ic=1mA；Ib=0。 - 饱和电压VcEsat：8.0V，Ic=2A；Ib=0.6A。 - 基极-发射极饱和电压VBEsat：1.5V，Ic=2A；Ib=0.6A。 - 集电极截止电流IcBO：10μA，VcB=500V；Ie=0。 - 发射极截止电流IEBO：100μA，VEB=5V；Ic=0。 - 直流电流增益hFE-1：8，Ic=0.5A；VcE=5V。 - 直流电流增益hFE-2：2.5，Ic=2A；VcE=5V。

6. 应用信息： - 适用于彩色电视水平输出应用。

7. 封装信息： - 图2展示了TO-3封装的外形尺寸图。

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