1. 物料型号：2SD2066
2. 器件简介：
- 该器件为Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管，具有TO-3PN封装，安全工作区域广泛，是2SB1373的补充类型。
- 适用于高功率放大器应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接至安装底（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：160V（开发射极）
- 集电极-发射极电压（VCEO）：160V（开基极）
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V（开集电极）
- 集电极电流（Ic）：12A（直流）
- 耗散功率（Pc）：2.5W（Ta=25°C），120W（Tc=25°C）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 该器件在Tj=25℃的条件下，具有以下特性：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：160V（Ic=25mA;Ib=0）
- 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：2.0V（Ic=8A;Ib=0.8A）
- 基极-发射极导通电压（VBE）：1.8V（Ic=8A;VcE=5V）
- 集电极截止电流（IcBO）：50A（Vc=160V;Ie=0）
- 发射极截止电流（IEBO）：50μA（VEB=5V;Ic=0）
- 直流电流增益（hFE）：20（Ic=20mA;VcE=5V），60（Ic=1A;VcE=5V），15（Ic=8A;VcE=5V）
- 转换频率（fr）：20MHz（Ic=0.5A;VcE=5V）
- 集电极输出电容（CoB）：210pF（f=1MHz;VcB=10V）
6. 应用信息：适用于高功率放大器应用。
7. 封装信息：TO-3PN封装，具体尺寸如图2所示。
