1. 物料型号：2SD2340，由Inchange Semiconductor生产的NPN型功率晶体管。
2. 器件简介：
- 封装类型：TO-3PN。
- 特点：Darlington结构，高直流电流增益。
- 应用领域：音频、调节器和通用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）。
- 2号引脚：安装底（mounting base），连接到集电极（Collector）。
- 3号引脚：发射极（Emitter）。
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：开路发射极时130V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：开路基极时110V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：开路集电极时5V。
- 集电极电流（IC）：6A。
- 集电极功耗（PC）：在25℃时为2.5W。
- 结温（Tj）：最高150℃。
- 存储温度（Tstg）：-55℃至150℃。
5. 功能详解：
- 击穿电压（V(BR)CEO）：在集电极电流为30mA，基极电流为0时为110V。
- 饱和电压（VcEsat）：在集电极电流为5A，基极电流为5mA时为2.5V。
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：在集电极电流为5A，基极电流为5mA时为3.0V。
- 集电极截止电流（ICBO）：在集电极-基极电压为130V，发射极电流为0时为100uA。
- 集电极截止电流（ICEO）：在集电极-发射极电压为110V，基极电流为0时为100uA。
- 发射极截止电流（IEBO）：在发射极-基极电压为5V，集电极电流为0时为100uA。
- 直流电流增益（hFE）：在集电极电流为3A，集电极-发射极电压为5V时为5000。
- 过渡频率（fT）：在集电极电流为0.5A，集电极-发射极电压为10V时为20MHz。
6. 应用信息：适用于音频、调节器和通用领域。
7. 封装信息：TO-3PN封装，具体尺寸如图2所示，未标注的公差为±0.1mm。
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