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2SD2581

2SD2581

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2581 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD2581 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2581 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·High Reliability APPLICATIONS ·Color TV horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current- Continuous 10 A ICP Collector Current-Pulse 30 A Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 3.0 W 70 TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD2581 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA; IB= 0 800 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 8A; IB= 1.6A B 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 8A; IB= 1.6A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 800V ; IE= 0 10 μA ICES Collector Cutoff Current VCE= 1500V ; RBE= 0 1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V ; IC= 0 1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 5V 20 35 hFE-2 DC Current Gain IC= 8A ; VCE= 5V IC= 6A , IB1= 1.2A ; IB2= -2.4A PW=20μs; Duty Cycle≤1% 5 8 tf Fall Time 0.3 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2581 isc Website:www.iscsemi.cn
2SD2581
1. 物料型号:2SD2581

2. 器件简介: - 该器件是一个硅NPN功率晶体管。 - 特点包括高击穿电压($V_{CBO}=1500V$)、高开关速度和高可靠性。

3. 引脚分配: - PIN 1: BASE(基极) - PIN 2: COLLECTOR(集电极) - PIN 3: EMITTER(发射极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值($T_{a}=25^{\circ} C$): - $V_{CBO}$(集电-基极电压):1500V - $V_{CEO}$(集电-发射极电压):800V - $V_{EBO}$(发射-基极电压):6V - $I_c$(集电极电流-连续):10A - $I_{cP}$(集电极电流-脉冲):30A - $P_c$(集电极功率耗散@$T_a=25°C$):3.0W - $P_c$(集电极功率耗散@$T_c=25°C$):70W - $T_J$(结温):150°C - $T_{stg}$(存储温度范围):-55~150°C

5. 功能详解: - 该晶体管的电气特性包括维持电压、饱和电压和截止电流等参数,详细参数如下: - $V_{CEO(sus)}$(集电-发射维持电压):800V - $V_{cE(sat)}$(集电-发射饱和电压):5.0V - $V_{BE(sat)}$(基极-发射饱和电压):1.5V - $I_{cBO}$(集电极截止电流):10A - $I_{cES}$(集电极截止电流):1.0mA - $I_{EBO}$(发射极截止电流):1.0mA - $h_{FE-1}$(直流电流增益):20-35 - $h_{FE-2}$(直流电流增益):5-8 - $t_f$(下降时间):0.3s

6. 应用信息: - 应用于彩色电视水平偏转输出。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PML,具体的封装尺寸参数如下: - A: 19.90-20.10mm - B: 15.90-16.10mm - C: 5.50-5.70mm - D: 0.90-1.10mm - F: 3.30-3.50mm - G: 2.90-3.10mm - H: 5.90-6.10mm - J: 0.595-0.605mm - K: 22.30-22.50mm - L: 1.90-2.10mm - N: 10.80-11.00mm - Q: 4.90-5.10mm - R: 3.75-3.95mm - S: 3.20-3.40mm - U: 9.90-10.10mm - Y: 4.70-4.90mm - Z: 1.90-2.10mm
2SD2581 价格&库存

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