2SD386

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD386 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD386 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD386 2SD386A DESCRIPTION ・With TO-220C package ・High voltage :VCBO=200V(min) APPLICATIONS ・For TV vertical deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO PARAMETER Collector-base voltage 2SD386 VCEO Collector-emitter voltage 2SD386A VEBO Emitter-base voltage 2SD386 IC Collector current 2SD386A ICM Collector current-Peak TC=25℃ PC Collector dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 1.75 150 -40~150 ℃ ℃ 2 10 25 W A Open collector Open base 150 6 3 A V CONDITIONS Open emitter VALUE 200 120 V UNIT V Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD386 IC=25mA; IB=0 2SD386A 2SD386 IC=1A; IB=0.1A 2SD386A VBEsat ICBO IEBO hFE fT Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency IC=1A; IB=0.1A VCB=180V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=2V IC=0.5A ; VCE=5V CONDITIONS 2SD386 2SD386A MIN 120 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage V 150 1.0 V 1.5 1.8 1.0 5.0 40 8 320 MHz V mA mA VCEsat Collector-emitter saturation voltage hFE Classifications C 40-80 D 60-120 E 100-200 F 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD386 2SD386A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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2SD386

物料型号： - 型号：2SD386、2SD386A

器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220C封装，具有高电压特性，其中V_CBO（集电极-基极电压）最小值为200V。

引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底座） - PIN 3: Emitter（发射极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：2SD386为200V，2SD386A为200V - VCEO（集电极-发射极电压）：2SD386为120V，2SD386A为150V - VEBO（发射极-基极电压）：6V - Ic（集电极电流）：2SD386为3A，2SD386A为2A - IcM（集电极峰值电流）：10A - Pc（集电极耗散功率）：在Tc=25°C时为25W，在Ta=25°C时为1.75W - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-40~150°C

功能详解： - 这些晶体管适用于电视垂直偏转输出应用。 - 在Tj=25℃的条件下，除非另有说明，否则特性如下： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：2SD386为120V，2SD386A为150V - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：2SD386在Ic=1A; IB=0.1A时为1.0V，2SD386A为1.5V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=1A; IB=0.1A时为1.8V - IcBO（集电极截止电流）：在VcB=180V; Ie=0时为1.0mA - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=5V; Ic=0时为5.0mA - hFE（直流电流增益）：在Ic=0.5A; VcE=2V时为40至320 - fr（过渡频率）：在Ic=0.5A; VcE=5V时为8MHz

应用信息： - 适用于电视垂直偏转输出应用。

封装信息： - 封装类型为TO-220C，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.10mm。

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