1. 物料型号:2SD389,这是ISC品牌的Silicon NPN Power Transistor(硅NPN功率晶体管)。
2. 器件简介:2SD389是一个3脚的NPN功率晶体管,采用TO-220C封装。具有较宽的安全工作区域和较高的功率耗散。
3. 引脚分配:
- 1. BASE(基极)
- 2. COLLECTOR(集电极)
- 3. EMITTER(发射极)
4. 参数特性:
- 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):最小60V
- 集电极-基极电压(VCBO):60V
- 发射极-基极电压(VEBO):8V
- 集电极电流-连续(Ic):3.0A
- 集电极耗散功率@Tc=25°C(Pc):25W
- 结温(TJ):150°C
- 存储温度范围(Tstg):-55°C至150°C
5. 功能详解:2SD389设计用于中功率放大应用。
6. 应用信息:适用于中功率放大器应用。
7. 封装信息:TO-220C封装,详细尺寸如下:
- A: 15.70-15.90mm
- B: 9.90-10.10mm
- C: 4.20-4.40mm
- D: 0.70-0.90mm
- F: 3.40-3.60mm
- G: 4.98-5.18mm
- H: 2.70-2.90mm
- J: 0.44-0.46mm
- K: 13.20-13.40mm
- L: 1.10-1.30mm
- Q: 2.70-2.90mm
- R: 2.50-2.70mm
- S: 1.29-1.31mm
- U: 6.45-6.65mm
- V: 8.66-8.86mm