2SD5011

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD5011 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD5011 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·High Reliability ·Built-in Damper Diode APPLICATIONS ·Designed for color TV horizontal output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current- Continuous 3.5 A ICM Collector Current-Peak 10 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 50 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD5011 TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A 8.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 800V ; IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V ; IC= 0 40 130 mA hFE DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 5V 8 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 3.5A 2.0 V fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V IC= 3A, IB1= 0.8A; IB2= -1.6A RL= 66.7Ω;VCC= 200V 3 MHz tf Fall Time 0.4 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SD5011

物料型号：2SD5011，是由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

器件简介： - 高击穿电压：VCBO= 1500V（最小值） - 高开关速度 - 高可靠性 - 内置阻尼二极管

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-3PML

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO：集电极-基极电压，1500V - VCEO：集电极-发射极电压，800V - VEBO：发射极-基极电压，6V - Ic：集电极连续电流，3.5A - ICM：集电极峰值电流，10A - Pc：集电极功率耗散@Tc=25°C，50W - TJ：结温，150°C - Tstg：存储温度范围，-55~150°C

功能详解： - 电气特性（TC=25℃，除非另有说明）： - VCE(sat)：集电极-发射极饱和电压，IC= 2.5A; IB= 0.8A时，最小值8.0V - VBE(sat)：基极-发射极饱和电压，IC= 2.5A; IB= 0.8A时，最小值1.5V - ICBO：集电极截止电流，VCB= 800V; IE= 0时，最大值10μA - IEBO：发射极截止电流，VEB= 4V; IC= 0时，最大值130mA - hFE：直流电流增益，IC= 0.5A; VCE= 5V时，最小值8 - VECF：C-E二极管正向电压，IF= 3.5A时，最小值2.0V - fT：电流增益-带宽积，IC= 0.5A; VCE= 10V时，最小值3MHz - tf：下降时间，IC= 3A, IB1= 0.8A; IB2= -1.6A RL= 66.7Ω;VCC= 200V时，0.4μs

应用信息：设计用于彩色电视水平输出应用。

封装信息：封装尺寸参数如下（单位：mm）： - A: 19.90~20.10 - B: 15.90~16.10 - C: 5.50~5.70 - D: 0.90~1.10 - F: 3.30~3.50 - G: 2.90~3.10 - H: 5.90~6.10 - J: 0.595~0.605 - K: 22.30~22.50 - L: 1.90~2.10 - N: 10.80~11.00 - Q: 4.90~5.10 - R: 3.75~3.95 - S: 3.20~3.40 - U: 9.90~10.10 - Y: 4.70~4.90 - Z: 1.90~2.10

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