1. 物料型号：
- 型号为2SD5075T，由Inchange Semiconductor生产。
2. 器件简介：
- 该器件是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-220C封装，高击穿电压和高速开关特性。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Collector（集电极）
- PIN 3: Emitter（发射极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO（集-基电压）：1500V
- VCEO（集-发电压）：800V
- VEBO（发-基电压）：6V
- Ic（集电极电流）：3.5A
- ICM（集电极峰值电流）：10A
- Pc（集电极耗散功率）：75W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 该器件在Tj=25℃下的特性参数如下：
- VCEsat（集-发饱和电压）：8.0V（Ic=2.5A; Ib=0.8A）
- VBEsat（基-发饱和电压）：1.5V（Ic=2.5A; Ib=0.8A）
- IEBO（发射极截止电流）：1.0mA（VEB=5V; Ic=0）
- ICBO（集电极截止电流）：10μA（VcB=800V; IE=0）
- hFE（直流电流增益）：8（Ic=1.5 A; Vce=5V）
- fT（过渡频率）：3MHz（Ic=0.5 A; VcE=10V）
- tf（下降时间）：0.4s（Ic=3A; Ib1=0.8A; Ib2=-1.6A; Vcc=200V; RL=66.7）
6. 应用信息：
- 适用于彩色电视水平输出应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220C，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。
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