1. 物料型号:
- 型号:2SD640,是INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介:
- 该晶体管具有400V的最小集电极-发射极击穿电压和最大1.5V的低集电极-发射极饱和电压(在5A电流下)。
3. 引脚分配:
- PIN 1: 基极(BASE)
- PIN 2: 发射极(EMITTER)
- PIN 3: 集电极(COLLECTOR),并且是TO-3封装。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值包括600V的集基电压(VCBO)、400V的集-发电压(VCEO)、5V的发基电压(VEBO)、7A的连续集电极电流(Ic)、2A的连续基极电流(IB)、100W的集电极功率耗散(Pc)等。
5. 功能详解和应用信息:
- 该晶体管适用于高电压开关应用和高功率放大应用。
6. 封装信息:
- 封装类型为TO-3,具体尺寸参数包括A、B、C、D、E、G、H、K、L、N、Q、U、V等,每个参数都有最小和最大尺寸要求。