1. 物料型号：2SD649，这是INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。
2. 器件简介：
- 该器件具有高击穿电压（VCBO=1500V最小值）和高可靠性。
- 设计用于线操作的水平偏转输出应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: BASE（基极）
- PIN 2: Emitter（发射极）
- PIN 3: COLLECTOR(CASE)（集电极，与外壳相连），封装为TO-3。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：1500V
- VCES（集电极-发射极电压）：1500V
- VEBO（发射极-基极电压）：5V
- IC（集电极电流-连续）：3A
- ICP（集电极电流-脉冲）：5A
- PC（集电极功率耗散@TC≤90℃）：35W
- TJ（结温）：130℃
- Tstg（存储温度范围）：-65~130℃
5. 功能详解：
- 电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）：
- VBR(EBO)（发射极-基极击穿电压）：le=10mA; lc=0时，最小值为5V。
- VCE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：Ic=3A; IB=1A时，最大值为7.0V。
- VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：Ic=3A; IB=1A时，最大值为1.5V。
- ICBO（集电极截止电流）：VcB=750V; le=0时，最大值为100uA。
- hFE（直流电流增益）：Ic=3A; VcE=10V时，最小值为4，最大值为12。
- tf（下降时间）：Ic=3A, IBend=1A, LB=20H时，最大值为1s。
- tstg（存储时间）：最大值为13s。
6. 应用信息：
- 设计用于线操作的水平偏转输出应用。
7. 封装信息：
- 封装为TO-3，具体尺寸参数如下：
- D：0.90mm至1.10mm
- d：1.40mm至1.60mm
- 其他尺寸参数也已列出，具体数值请参考PDF文档中的图表。
