物料型号：
- 型号为2SD675。
器件简介：
- 2SD675是一款硅NPN功率晶体管，具有160V的集电极-发射极击穿电压，最大功耗为100W（在25°C时），是2SB655型号的互补类型。
引脚分配：
- 引脚1：基极（BASE）
- 引脚2：发射极（EMITTER）
- 引脚3：集电极（CASE），采用TO-3封装。
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：160V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：160V
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V
- 集电极连续电流（Ic）：12A
- 集电极峰值电流（ICM）：20A
- 集电极功耗（Pc）：100W（在25°C时）
- 结温（TJ）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C
功能详解：
- 该晶体管设计用于低频功率放大应用。
应用信息：
- 适用于低频功率放大应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸参数如下：
- A：39.00mm
- B：25.30mm至26.67mm
- C：7.80mm至8.30mm
- D：0.90mm至1.10mm
- E：1.40mm至1.60mm
- G：10.92mm
- H：5.46mm
- K：11.40mm至13.50mm
- L：16.75mm至17.05mm
- N：19.40mm至19.62mm
- Q：4.00mm至4.20mm
- U：30.00mm至30.20mm
- V：4.30mm至4.50mm
