2SD733K

2SD733K

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SD733K - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD733K 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD733 2SD733K DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Complement to type 2SB697/697K ・High power dissipation APPLICATIONS ・Power amplifier applications ・Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2SD733 VCBO Collector-base voltage 2SD733K 2SD733 VCEO Collector-emitter voltage 2SD733K VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 160 6 12 20 100 150 -40~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter 180 140 V CONDITIONS VALUE 160 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS 2SD733 2SD733K MIN TYP. MAX UNIT 2SD733 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SD733K IC=50mA ;IB=0 140 V 160 2SD733 V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage 2SD733K IC=5mA ;IE=0 160 V 180 V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=5mA ;IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=6A; IB=0.6A 0.7 2.5 V VBE Base-emitter on voltage IC=1A ; VCE=5V 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=80V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=-5V 40 320 hFE-2 DC current gain IC=5A ; VCE=5V 20 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=5V 15 MHz hFE-1 Classifications C 40-80 D 60-120 E 100-200 F 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD733 2SD733K Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SD733K
1. 物料型号: - 型号为2SD733和2SD733K。

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-3封装,是2SB697/697K的补充,具有高功率耗散能力。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:发射极(Emitter) - 引脚3:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 2SD733和2SD733K的绝对最大额定值包括: - 2SD733:集电极-基极电压VCBO为160V,集电极-发射极电压VCEO为140V。 - 2SD733K:VCBO为180V,VCEO为160V。 - 发射极-基极电压VEBO为6V。 - 集电极电流IC为12A,峰值ICM为20A。 - 集电极功率耗散PC在25℃时为100W。 - 结温Tj为150℃,存储温度Tstg范围为-40至150℃。

5. 功能详解: - 这些晶体管适用于功率放大应用,特别推荐用于高保真音频频率放大器的输出阶段。

6. 应用信息: - 推荐用于高功率高保真音频频率放大器的输出阶段。

7. 封装信息: - 提供了TO-3封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.1mm。
2SD733K 价格&库存

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