2SD745A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD745A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SB705/705A/705B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·Suitable for output stages of 60~120W audio amplifiers and voltage regulators PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2SD745/745A/745B · Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SD745 VCBO Collector-base voltage 2SD745A 2SD745B 2SD745 VCEO Collector-emitter voltage 2SD745A 2SD745B VEBO IC ICM PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 140 150 160 140 150 160 5 10 15 120 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD745 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SD745A 2SD745B VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance IC=5A;IB=0.5 A IC=5A;IB=0.5 A VCB=140V; IE=0 VEB=3V; IC=0 IC=50mA ; VCE=5V IC=2A ; VCE=5V IC=0.2A ; VCE=5V IE=0; VCB=10V;f=1MHz IC=25mA; IB=0 CONDITIONS 2SD745/745A/745B MIN 140 150 160 TYP. MAX UNIT V 1.5 2.0 50 50 20 40 15 270 200 V V μA μA MHz pF hFE-2 classifications S 40-80 R 60-120 Q 100-200 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD745/745A/745B Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD745A

1. 物料型号： - 型号为2SD745/745A/745B。

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用MT-200封装，是2SB705/705A/705B型号的补充。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2SD745为140V，2SD745A为150V，2SD745B为160V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：2SD745为140V，2SD745A为150V，2SD745B为160V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V。 - 集电极电流（Ic）：10A。 - 集电极峰值电流（ICM）：15A。 - 总功率耗散（PT）：120W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 包括击穿电压、饱和电压、截止电流、直流电流增益、转换频率和输出电容等参数的详细描述。

6. 应用信息： - 适用于音频频率功率放大器，适合60~120W音频放大器的输出阶段和电压调节器。

7. 封装信息： - 提供了MT-200封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。

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