2SD748

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD748 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD748 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD748 2SD748A DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High VCBO ·High power dissipation APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier regulator for TV power supply applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO PARAMETER Collector-base voltage 2SD748 VCEO Collector-emitter voltage 2SD748A VEBO IC IB B CONDITIONS Open emitter VALUE 250 200 UNIT V Open base 250 Open collector 5 3 1 TC=25℃ 80 150 -45~150 V Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD748 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SD748A V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain IE=5mA ;IC=0 IC=3A; IB=0.6A IC=1A ; VCE=5V VCB=200V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=10mA ;RBE=∞ CONDITIONS 2SD748 2SD748A MIN 200 TYP. MAX UNIT V 250 5 1.0 1.5 1.0 1.0 25 200 V V V mA mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD748 2SD748A Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SD748

1. 物料型号： - 型号为2SD748和2SD748A，由Inchange Semiconductor生产，属于Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 这些器件采用TO-3封装，具有高VCBO（集电极-基极电压）和高功率耗散能力。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：2SD748为200V，2SD748A为250V - VCEO（集电极-发射极电压）：2SD748为200V，2SD748A为250V - VEBO（发射极-基极电压）：5V - Ic（集电极电流）：3A - Ib（基极电流）：1A - Pc（集电极功率耗散）：80W（在Tc=25°C时） - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-45~150°C - 特性参数： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：2SD748为200V，2SD748A为250V - V(BREBO（发射极-基极击穿电压）：5V - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：1.0V（在Ic=3A; IB=0.6A时） - VBE（基极-发射极导通电压）：1.5V（在Ic=1A; VcE=5V时） - ICBO（集电极截止电流）：1.0mA（在VcB=200V; I=0时） - IEBO（发射极截止电流）：1.0mA（在VEB=5V; Ic=0时） - hFE（直流电流增益）：25至200

5. 功能详解和应用信息： - 这些晶体管适用于低频功率放大器和电视电源应用中的调节器。

6. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸和公差见图2，未标注的公差为±0.1mm。

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