2SD748A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD748A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD748 2SD748A DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High VCBO ·High power dissipation APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier regulator for TV power supply applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO PARAMETER Collector-base voltage 2SD748 VCEO Collector-emitter voltage 2SD748A VEBO IC IB B CONDITIONS Open emitter VALUE 250 200 UNIT V Open base 250 Open collector 5 3 1 TC=25℃ 80 150 -45~150 V Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD748 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SD748A V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain IE=5mA ;IC=0 IC=3A; IB=0.6A IC=1A ; VCE=5V VCB=200V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=10mA ;RBE=∞ CONDITIONS 2SD748 2SD748A MIN 200 TYP. MAX UNIT V 250 5 1.0 1.5 1.0 1.0 25 200 V V V mA mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD748 2SD748A Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SD748A

1. 物料型号：2SD748和2SD748A，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介：该器件采用TO-3封装，具有高VCBO和高功率耗散能力。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - VCBO（Collector-base voltage）：开路发射极时为250V。 - VCEO（Collector-emitter voltage）：2SD748为200V，2SD748A为250V。 - VEBO（Emitter-base voltage）：开路集电极时为5V。 - Ic（Collector current）：最大3A。 - Ib（Base current）：最大1A。 - Pc（Collector power dissipation）：在Tc=25°C时为80W。 - TJ（Junction temperature）：最大150°C。 - Tstg（Storage temperature）：-45~150°C。

5. 功能详解： - 2SD748和2SD748A的击穿电压（V(BR)CEO）分别为200V和250V。 - 饱和压降（VCEsat）在IC=3A，IB=0.6A时为1.0V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）在IC=1A，VCE=5V时为1.5V。 - 集电极截止电流（ICBO）在VCB=200V，IE=0时为1.0mA。 - 发射极截止电流（IEBO）在VEB=5V，IC=0时为1.0mA。 - 直流电流增益（hFE）在IC=1A，VCE=5V时，最小值为25，最大值为200。

6. 应用信息：适用于电视电源应用中的低频功率放大器和调节器。

7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。

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