2SD794A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD794A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载2SD794A.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SD794A 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD794 2SD794A DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB744/744A ·High current 3A ·Excellent hFE linearity APPLICATIONS ·For use in audio frequency amplifier and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO PARAMETER Collector-base voltage 2SD794 VCEO Collector-emitter voltage 2SD794A VEBO IC ICM IB B CONDITIONS Open emitter VALUE 70 45 UNIT V Open base 60 Open collector 5 3 5 0.6 Ta=25℃ 1 V Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Base current (DC) V A A A PC Collector power dissipation TC=25℃ 10 150 -55~150 W Tj Tstg Junction temperature Storage temperature ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SD794 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SD794A VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance IC=1.5A ;IB=0.15A IC=1.5A ;IB=0.15A VCB=45V; IE=0 VEB=3V; IC=0 IC=20mA ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=5V IC=0.1A ; VCE=5V f=1MHz ; VCB=10V;IE=0 IC=10mA; IB=0 CONDITIONS 2SD794 2SD794A MIN 45 TYP. MAX UNIT V 60 0.3 0.8 2.0 2.0 1 1 30 60 70 100 60 40 320 MHz pF V V μA μA hFE-2 Classifications R 60-120 O 100-200 Y 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD794 2SD794A Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

2SD794A

### 物料型号 - 型号：2SD794和2SD794A

### 器件简介 - 这两款晶体管采用TO-126封装，是2SB744/744A型号的补充。 - 它们具有高电流3A和出色的hFE线性特性。

### 引脚分配 - PIN 1: 发射极（Emitter） - PIN 2: 集电极（Collector; connected to mounting base） - PIN 3: 基极（Base）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - VCBO（Collector-base voltage Open emitter）：70V（2SD794）/ 45V（2SD794A） - VCEO（Collector-emitter voltage）：60V（2SD794）/ 45V（2SD794A） - VEBO（Emitter-base voltage Open collector）：5V - IC（Collector current (DC)）：3A - ICM（Collector current-Peak）：5A - IB（Base current (DC)）：0.6A - PC（Collector power dissipation）：10W（TC=25℃） - Tj（Junction temperature）：150℃ - Tstg（Storage temperature）：-55~150℃

- 特性（Tj=25℃除非另有说明）： - V(BR)CEO（breakdown voltage Collector-emitter）：60V（2SD794A）/ 45V（2SD794） - VCEsat（Collector-emitter saturation voltage）：0.3~2.0V - VBEsat（Base-emitter saturation voltage）：0.8~2.0V - ICBO（Collector cut-off current）：1μA - IEBO（Emitter cut-off current）：1μA - hFE-1（DC current gain）：30~70（IC=20mA; VCE=5V） - hFE-2（DC current gain）：60~320（IC=0.5A; VCE=5V） - fT（Transition frequency）：60MHz（IC=0.1A; VCE=5V） - COB（Collector output capacitance）：40pF（f=1MHz; VCB=10V; IE=0）

### 功能详解 - 2SD794和2SD794A适用于音频频率放大器和一般用途的应用。

### 应用信息 - 用于音频频率放大器和一般用途。

### 封装信息 - 封装类型：TO-126 - 引脚图和符号如图1所示。

2SD794A 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SD794A”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SD794A

相关技术文章