1. 物料型号：2SD819，这是INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 该器件具有高集电极-基极击穿电压（V_{(BR)CBO}=1500V）。
- 低集电极饱和电压和高开关速度。
- 适用于彩色电视水平输出应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: 基极（BASE）
- PIN 2: 发射极（EMITTER）
- PIN 3: 集电极（COLLECTOR），并且是带有外壳的（CASE），封装类型为TO-3。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（T_{a}=25℃）：
- VCBO（Collector-Base Voltage）：1500V
- VCEO（Collector-Emitter Voltage）：600V
- VEBO（Emitter-Base Voltage）：5V
- IC（Collector Current-Continuous）：3.5A
- IE（Emitter Current-Continuous）：-3.5A
- PC（Collector Power Dissipation @TC=25℃）：50W
- Tj（Junction Temperature）：150℃
- Tstg（Storage Temperature Range）：-65~150℃
5. 功能详解：
- 该器件设计用于彩色电视水平输出应用，具有高集电极-基极击穿电压和低集电极饱和电压，适合高功率开关应用。
6. 应用信息：
- 主要应用于彩色电视的水平输出电路。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具有三个引脚，分别为基极、发射极和集电极（带外壳）。
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