2SD821

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD821 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD821 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD821 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High voltage ,high speed ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Emitter current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 1500 600 5 6 -6 50 150 -65~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SD821 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A; IB=0 600 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5 A;IB=1 A 3.0 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5 A;IB=1 A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=500V;IE=0 10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1 mA hFE DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 20 COB Output capacitance IE=0; VCB=10V;f=1MHz 165 pF fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=10V 3 MHz tf Fall time ICP=5A ;IB1=1A 0.5 1.0 μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD821 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD821

物料型号：2SD821

器件简介： 2SD821是一个由Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。它采用TO-3封装，具有高电压、高速度和低集电极饱和电压的特点，适用于彩色电视水平输出应用。

引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Emitter（发射极） - PIN 3: Collector（集电极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：1500V，开路发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：600V，开路基极 - VEBO（发射极-基极电压）：5V，开路集电极 - Ic（集电极电流）：6A - IE（发射极电流）：-6A - Pc（集电极功耗）：50W，Tc=25°C - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-65~150°C

功能详解： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：在Ic=0.1A时为600V - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=5A，Ib=1A时在3.0V到5.0V之间 - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=5A，Ib=1A时为1.5V - IcBO（集电极截止电流）：在VcB=500V，Ie=0时小于10A - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=5V，Ic=0时小于1mA - hFE（直流电流增益）：在Ic=1A，VcE=5V时为8到20 - CoB（输出电容）：在Ie=0，VcB=10V，f=1MHz时为165pF - fr（转换频率）：在Ic=0.1A，VcE=10V时为3MHz - t1（下降时间）：在Icp=5A，Ib1=1A时在0.5us到1.0us之间

应用信息： 2SD821适用于彩色电视水平输出应用。

封装信息：该器件采用TO-3封装，具体尺寸和符号可参考PDF文档中的图1简化外形图和符号。

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