2SD896

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SD896 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SD896 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD896 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SB776 ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·100V/7A, AF 40W output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Tc=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 120 100 6 7 11 70 150 -40~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=50mA ;RBE=∞ IC=5mA ;IE=0 IE=5mA ;IC=0 IC=4A ;IB=0.4A B 2SD896 MIN 100 120 6 TYP. MAX UNIT V V V 0.6 2.0 1.5 0.1 0.1 V V mA mA IC=1A;VCE=5V VCB=80V IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=4A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=5V f=1MHz;VCB=10V 60 20 15 140 200 MHz pF Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=1.0A; IB1=-IB2=0.1A RL=20Ω;VCC=20V 0.2 6.0 0.6 μs μs μs hFE-1 Classifications D 60-120 E 100-200 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD896 Fig.2 outline dimensions 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD896 4

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2SD896

物料型号： - 型号为2SD896，由Inchange Semiconductor生产。

器件简介： - 2SD896是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3PN封装，是2SB776型号的补充。

引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

参数特性： - 集电-基极电压（VCBO）：120V，开发射极 - 集电-发射极电压（VCEO）：100V，开基极 - 发射极-基极电压（VEBO）：6V，开集电极 - 集电极电流（DC）（Ic）：7A - 集电极峰值电流（ICM）：11A - 集电极功率耗散（Pc）：70W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-40~150°C

功能详解： - 该晶体管在Tj=25℃的条件下，具有特定的电压和电流特性，如集电-发射极击穿电压、集电-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压等。 - 直流电流增益（hFE）有两个范围，分别为60-120和100-200。 - 过渡频率（fr）为15MHz。 - 集电极输出电容（CoB）为140pF，1MHz时，VcB=10V。

应用信息： - 适用于100V/7A，AF 40W输出应用。

封装信息： - 封装类型为TO-3PN，PDF中提供了简化外形图和符号。

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